携手创新，合作共赢——第三代半导体技术创新中心签约成立

日前，齐鲁中科新动能创新研究院与国晶电子有限公司在济南签约共建第三代半导体技术创新中心。


第三代半导体技术创新中心将围绕第三代半导体产业，致力于开展碳化硅和氮化镓长晶、碳化硅外延芯片、碳化硅加工设备等产业关键性和共性技术的研发和产业化工作，搭建国际一流的第三代半导体全产业链生态创新体，助力济南市第三代半导体产业的发展。


第三代半导体技术创新中心将聚集来自中科院、韩国汉阳大学、韩国首尔大学、韩国同仁大学、瑞典兰德大学等国内外顶尖专家，力争在五年内建设成为具有国际领先地位的第三代半导体技术科技创新与成果转化高地。


齐鲁中科新动能创新研究院将发挥平台优势，在项目引进、技术开发、人才培养等方面营造良好的创新环境，配置优势资源，全面激发项目团队的创新活力，用更多更好的创新成果助力我省的新旧动能转换和产业高质量发展。

齐鲁中科新动能创新研究院是中国科学院控股有限公司落实《山东省人民政府 中国科学院 推进山东新旧动能转换重大工程合作协议》要求，在济南建设的新型研发机构。研究院立足中科体系内外的技术、人才、管理、政策等优势资源，培育新兴产业，促进科技成果在地方的转移转化。

    国晶电子有限公司是一家以技术创新和引进为主方向的综合性高科技公司，聚集了国际顶尖晶体材料和芯片研发专家。团队具有学历水平高、专业覆盖全、技术水平高等优势，具备持续创新和研发，以及系统性解决第三代半导体领域的“卡脖子”项目的能力。

第三代半导体技术创新中心专家团队

• 许兴胜博士，中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室研究员，博导，中国科学院大学材料科学与光电技术学院教授。主要开展光子晶体、光子微纳结构材料及器件的研制与光物理特性研究工作，美国光学学会(OSA)会员，美国国际光学工程学会（SPIE）会员，Appl. Phys. Lett., Chin. Phys. Lett.等期刊审稿人。 
• 董传友博士，上海交通大学电气专业，山东省“泰山学者”，拥有丰富的电子芯片开发经验。
• Dr.SooHyung Seo，韩国汉阳大学电子材料与元器件博士。20多年单晶材料和化合物半导体研究和应用经验。韩国第三代半导体晶体材料国家项目领军人物，在高纯原料合成、晶体材料、半导体器件领域有四十篇论文发表在国际期刊及拥有多项晶体生长方面的国际专利。
• Dr.JongGeon Choi，汉阳大学无机非金属材料博士。20多年半导体设备制造、工艺研发、晶体生长炉、热场与工程设计经验。有不同晶体材料、陶瓷材料领域的五十篇论文发表在国际期刊，拥有多项晶体生长设备制造国际专利。
• Dr.Per Zellman，瑞典兰德大学材料学博士。20多年的化合物半导体的研发和生产经验，Epiluvac AB - CVD/MOCVD项目的首席科学家。
• Dr.Park, JongKwan，韩国汉阳大学博士。曾任美国Rubicon公司高级研究员，韩国晶体生长设备公司AZTEC公司技术专家。
• Dr.Choi, YiSik，韩国首尔大学博士。曾担任韩国 Iljin Electric经理,韩国STC公司CTO和副总裁，拥有20年以上晶体和大尺寸衬底量产经验。
• Dr.Lee, WonJae，韩国同仁大学博士。碳化硅晶体生长研发专家，拥有20年以上长晶研发经验。
• Dr.Lim JaeYoung，曾担任衬底磨抛设备ENGIS公司技术负责人，韩国NTS公司创始人之一，LED蓝宝石衬底,LED芯片减薄三星项目开发负责人。碳化硅衬底研磨抛光领域国际一流专家。